DTA114TCAT116

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DTA114TCAT116

EXSHINE Modèle de produit:EX-DTA114TCAT116
Fabricant Modèle de produit:DTA114TCAT116
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:DTA114TCA
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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DTA114TCAT116
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur SST3
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms DTA114TCAT116TR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant DTA114TCAT116
Fréquence - Transition 250MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SST3
La description PNP -100MA -50V DIGITAL TRANSIST
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms DTA114TCAT116TR

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