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DTB123YCT116

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DTB123YCT116

EXSHINE Modèle de produit:EX-DTB123YCT116
Fabricant Modèle de produit:DTB123YCT116
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:DTB123YC
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
DTB123YCT116
En stock: 57862000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur SST3
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms DTB123YCT116TR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant DTB123YCT116
Fréquence - Transition 200MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3
La description PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms DTB123YCT116TR

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