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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTB513ZETL
DTB513ZETL

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DTB513ZETL

EXSHINE Modèle de produit:EX-DTB513ZETL
Fabricant Modèle de produit:DTB513ZETL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:DTB513ZE/ZM
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
DTB513ZETL
En stock: 37971000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur EMT3
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-75, SOT-416
Autres noms DTB513ZETLTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant DTB513ZETL
Fréquence - Transition 260MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 12V 500mA 260MHz 150mW Surface Mount EMT3
La description TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA

Autres

Autres noms DTB513ZETLTR
Emballage normal 3,000

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