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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTB713ZMT2L
DTB713ZMT2L

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DTB713ZMT2L

EXSHINE Modèle de produit:EX-DTB713ZMT2L
Fabricant Modèle de produit:DTB713ZMT2L
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:DTB713ZE/ZM
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
DTB713ZMT2L
En stock: 80888000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur VMT3
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-723
Autres noms DTB713ZMT2LTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant DTB713ZMT2L
Fréquence - Transition 260MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3
La description TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200mA

Autres

Autres noms DTB713ZMT2LTR
Emballage normal 8,000

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