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DTC114EMT2L

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DTC114EMT2L

EXSHINE Modèle de produit:EX-DTC114EMT2L
Fabricant Modèle de produit:DTC114EMT2L
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:DTC114E Series
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
DTC114EMT2L
En stock: 84581000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur VMT3
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-723
Autres noms DTC114EMT2L-ND
DTC114EMT2LTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant DTC114EMT2L
Fréquence - Transition 250MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 50mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
La description TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50mA

Autres

Autres noms DTC114EMT2L-ND

DTC114EMT2LTR
Emballage normal 8,000

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