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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DTC614TUT106
DTC614TUT106

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DTC614TUT106

EXSHINE Modèle de produit:EX-DTC614TUT106
Fabricant Modèle de produit:DTC614TUT106
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:DTC614TU/TK
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
DTC614TUT106
En stock: 34454000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur UMT3
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Puissance - Max 200mW
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte SC-70, SOT-323
Autres noms DTC614TUT106DKR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant DTC614TUT106
Fréquence - Transition 150MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 600mA 150MHz 200mW Surface Mount UMT3
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 820 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 600mA

Autres

Autres noms DTC614TUT106DKR
Emballage normal 1

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