DTD123EKT146

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DTD123EKT146

EXSHINE Modèle de produit:EX-DTD123EKT146
Fabricant Modèle de produit:DTD123EKT146
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:DTD123EK
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Poids:-
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DTD123EKT146
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SMT3
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 2.2k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Puissance - Max 200mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms DTD123EKT146-ND
DTD123EKT146TR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant DTD123EKT146
Fréquence - Transition 200MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 39 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA

Autres

Autres noms DTD123EKT146-ND

DTD123EKT146TR
Emballage normal 3,000

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