EM6M2T2R

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EM6M2T2R

EXSHINE Modèle de produit:EX-EM6M2T2R
Fabricant Modèle de produit:EM6M2T2R
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:EM6M2
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
EM6M2T2R
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Package composant fournisseur EMT6
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 200mA, 4V
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666
Autres noms EM6M2T2R-ND
EM6M2T2RTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant EM6M2T2R
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 25pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET N and P-Channel
Fonction FET Logic Level Gate
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA

Autres

Emballage normal 8,000
Autres noms EM6M2T2R-ND

EM6M2T2RTR

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