EMY1T2R

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EMY1T2R

EXSHINE Modèle de produit:EX-EMY1T2R
Fabricant Modèle de produit:EMY1T2R
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:EMY1, UMY1N, FMY1A
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
EMY1T2R
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type NPN, PNP (Emitter Coupled)
Package composant fournisseur EMT5
Séries -
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Autres noms EMY1T2RTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant EMY1T2R
Fréquence - Transition 180MHz, 140MHz
Description élargie Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 50V 150mA 180MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT5
La description TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5EMT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 150mA

Autres

Autres noms EMY1T2RTR
Emballage normal 8,000

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