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HP8K22TB

EXSHINE Modèle de produit:EX-HP8K22TB
Fabricant Modèle de produit:HP8K22TB
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:HP8K22
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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HP8K22TB
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur 8-HSOP
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 mOhm @ 20A, 10V
Puissance - Max 25W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-PowerTDFN
Autres noms HP8K22TBTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 8 Weeks
Référence fabricant HP8K22TB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.8nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET -
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 27A, 57A

Autres

Autres noms HP8K22TBTR
Emballage normal 2,500

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