IMB11AT110

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IMB11AT110

EXSHINE Modèle de produit:EX-IMB11AT110
Fabricant Modèle de produit:IMB11AT110
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:EMB11, UMB11N, IMB11A
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
IMB11AT110
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur SMT6
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Puissance - Max 300mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-74, SOT-457
Autres noms IMB11AT110TR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant IMB11AT110
Fréquence - Transition 250MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
La description TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Autres noms IMB11AT110TR
Emballage normal 3,000

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