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IMB1AT110
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-IMB1AT110 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | IMB1AT110 |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | UMA1N/B1N, FMA1A, IMB1A/5A |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
IMB1AT110
En stock: 15718000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
|---|---|
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur | SMT6 |
| Séries | - |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22k |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22k |
| Puissance - Max | 300mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SC-74, SOT-457 |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | IMB1AT110 |
| Fréquence - Transition | - |
| Description élargie | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SMT6 |
| La description | TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
Autres
| Emballage normal | 3,000 |
|---|
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Distributeur de Rohm Semiconductor
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