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IMD10AT108

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IMD10AT108

EXSHINE Modèle de produit:EX-IMD10AT108
Fabricant Modèle de produit:IMD10AT108
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IMD10A
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
IMD10AT108
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur SMT6
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k, 100
Puissance - Max 300mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-74, SOT-457
Autres noms IMD10AT108TR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IMD10AT108
Fréquence - Transition 250MHz, 200MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
La description TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA, 500mA

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms IMD10AT108TR

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