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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - tableaux, pré bia > IMD23T108

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IMD23T108

EXSHINE Modèle de produit:EX-IMD23T108
Fabricant Modèle de produit:IMD23T108
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IMD23T108
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
IMD23T108
En stock: 85268000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 2.5mA, 300mV @ 10mA, 500µA
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur SMT6
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 10k, 10k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 1k, 10k
Puissance - Max 300mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-74, SOT-457
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant IMD23T108
Fréquence - Transition 200MHz, 250MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 200MHz, 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
La description TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC74
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V, 30 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA, 500mA

Autres

Emballage normal 3,000

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