IMN11T110

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IMN11T110

EXSHINE Modèle de produit:EX-IMN11T110
Fabricant Modèle de produit:IMN11T110
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:IMN11
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
IMN11T110
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.2V @ 100mA
Tension - inverse (Vr) (max) 80V
Package composant fournisseur 6-SMD
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 4ns
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-74, SOT-457
Autres noms IMN11T110-ND
IMN11T110TR
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant IMN11T110
Description élargie Diode Array 2 Pair Common Cathode Standard 80V 100mA Surface Mount SC-74, SOT-457
Type de diode Standard
Configuration diode 2 Pair Common Cathode
La description DIODE ARRAY GP 80V 100MA 6SMD
Courant - fuite, inverse à Vr 100nA @ 70V
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 100mA

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms IMN11T110-ND

IMN11T110TR

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