QS5U27TR

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QS5U27TR

EXSHINE Modèle de produit:EX-QS5U27TR
Fabricant Modèle de produit:QS5U27TR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:QS5U27
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QS5U27TR
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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TSMT5
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant QS5U27TR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
type de FET P-Channel
Fonction FET Schottky Diode (Isolated)
Description élargie P-Channel 20V 1.5A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount TSMT5
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta)

Autres

Emballage normal 3,000

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