QS5W1TR

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QS5W1TR

EXSHINE Modèle de produit:EX-QS5W1TR
Fabricant Modèle de produit:QS5W1TR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:QS5W1
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QS5W1TR
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A
Transistor Type 2 NPN (Dual) Common Emitter
Package composant fournisseur TSMT5
Séries -
Puissance - Max 1.25W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Autres noms QS5W1TRTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant QS5W1TR
Fréquence - Transition 270MHz
Description élargie Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Common Emitter 30V 3A 270MHz 1.25W Surface Mount TSMT5
La description TRANS 2NPN 30V 3A TSMT5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 3A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms QS5W1TRTR

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