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QS8J13TR
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-QS8J13TR |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | QS8J13TR |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | 1 |
| Datasheet Télécharger: | QS8J13 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
QS8J13TR
En stock: 76460000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 76460000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur | TSMT8 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
| Puissance - Max | 1.25W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead |
| Autres noms | QS8J13TRTR QS8J13TRTR-ND |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Référence fabricant | QS8J13TR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 6V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
| type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Description élargie | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 5.5A 1.25W Surface Mount TSMT8 |
| Tension drain-source (Vdss) | 12V |
| La description | MOSFET 2P-CH 12V 5.5A TSMT8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 5.5A |
Autres
| Emballage normal | 3,000 |
|---|---|
| Autres noms | QS8J13TRTR QS8J13TRTR-ND |
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