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QS8M12TCR
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-QS8M12TCR |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | QS8M12TCR |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | QS8M12 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
QS8M12TCR
En stock: 77356000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 77356000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur | TSMT8 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 4A, 10V |
| Puissance - Max | 1.5W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead |
| Autres noms | QS8M12TCRTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Référence fabricant | QS8M12TCR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 5V |
| type de FET | N and P-Channel |
| Fonction FET | Logic Level Gate |
| Description élargie | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8 |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| La description | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A |
Autres
| Emballage normal | 3,000 |
|---|---|
| Autres noms | QS8M12TCRTR |
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Distributeur de Rohm Semiconductor
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