QSZ4TR

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QSZ4TR

EXSHINE Modèle de produit:EX-QSZ4TR
Fabricant Modèle de produit:QSZ4TR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:QSZ4
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QSZ4TR
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 75mA, 1.5A
Transistor Type NPN, PNP (Emitter Coupled)
Package composant fournisseur TSMT5
Séries -
Puissance - Max 1.25W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant QSZ4TR
Fréquence - Transition 280MHz
Description élargie Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 30V 2A 280MHz 1.25W Surface Mount TSMT5
La description TRANS NPN/PNP 30V 2A 5TSMT
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 200mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 2A

Autres

Emballage normal 3,000

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