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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > R5009FNX
R5009FNX

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R5009FNX

EXSHINE Modèle de produit:EX-R5009FNX
Fabricant Modèle de produit:R5009FNX
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 500V 9A TO-220FM
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:R5009ANX
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
R5009FNX
En stock: 53750 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Vgs (Max) ±30V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-220FM
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 840 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 50W (Tc)
Emballage Bulk
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 17 Weeks
Référence fabricant R5009FNX
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 630pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 500V 9A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 500V
La description MOSFET N-CH 500V 9A TO-220FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Tc)

Autres

Emballage normal 500

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