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R5207ANDTL

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R5207ANDTL

EXSHINE Modèle de produit:EX-R5207ANDTL
Fabricant Modèle de produit:R5207ANDTL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:R5207AND
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
R5207ANDTL
En stock: 50093000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur CPT3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 3.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant R5207ANDTL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 525V 7A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Tension drain-source (Vdss) 525V
La description MOSFET N-CH 10V DRIVE CPT
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta)

Autres

Emballage normal 2,500

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