RAL025P01TCR

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RAL025P01TCR

EXSHINE Modèle de produit:EX-RAL025P01TCR
Fabricant Modèle de produit:RAL025P01TCR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RAL025P01
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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RAL025P01TCR
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Vgs (Max) -8V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TUMT6
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 320mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads
Autres noms RAL025P01TCRTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RAL025P01TCR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 12V 2.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT6
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 12V
La description MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.5A (Ta)

Autres

Autres noms RAL025P01TCRTR
Emballage normal 3,000

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