RCD050N20TL

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RCD050N20TL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RCD050N20TL
Fabricant Modèle de produit:RCD050N20TL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RCD050N20
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RCD050N20TL
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 5.25V @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur CPT3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 618 mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RCD050N20TL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 200V 5A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Tension drain-source (Vdss) 200V
La description MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta)

Autres

Emballage normal 2,500

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