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RCX081N20
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-RCX081N20 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | RCX081N20 |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | MOSFET N-CH 200V 8A TO220 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | RCX081N20 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
RCX081N20
En stock: 41480000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 41480000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.25V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220FM |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 770 mOhm @ 4A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 2.23W (Ta), 40W (Tc) |
| Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms | RCX081N20CT RCX081N20CT-ND |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 17 Weeks |
| Référence fabricant | RCX081N20 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 200V 8A (Tc) 2.23W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200V |
| La description | MOSFET N-CH 200V 8A TO220 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8A (Tc) |
Autres
| Emballage normal | 500 |
|---|---|
| Autres noms | RCX081N20CT RCX081N20CT-ND |
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