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RDR005N25TL

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RDR005N25TL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RDR005N25TL
Fabricant Modèle de produit:RDR005N25TL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RDR005N25
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RDR005N25TL
En stock: 26726000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TSMT3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.8 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 540mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-96
Autres noms RDR005N25TLTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RDR005N25TL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 250V 500mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount TSMT3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 250V
La description MOSFET N-CH 250V 0.5A SC-96-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 500mA (Ta)

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms RDR005N25TLTR

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