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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RE1J002YNTCL
RE1J002YNTCL

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RE1J002YNTCL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RE1J002YNTCL
Fabricant Modèle de produit:RE1J002YNTCL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RE1J002YN
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RE1J002YNTCL
En stock: 62725000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 1mA
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur EMT3F (SOT-416FL)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SC-89, SOT-490
Autres noms RE1J002YNTCL-ND
RE1J002YNTCLTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RE1J002YNTCL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Tension drain-source (Vdss) 50V
La description MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)

Autres

Autres noms RE1J002YNTCL-ND

RE1J002YNTCLTR
Emballage normal 3,000

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