RF081L2STE25

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RF081L2STE25

EXSHINE Modèle de produit:EX-RF081L2STE25
Fabricant Modèle de produit:RF081L2STE25
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RF081L2S
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RF081L2STE25
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 980mV @ 1.1A
Tension - inverse (Vr) (max) 200V
Package composant fournisseur PMDS
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 25ns
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte DO-214AC, SMA
Autres noms RF081L2STE25TR
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 20 Weeks
Référence fabricant RF081L2STE25
Description élargie Diode Standard 200V 1A Surface Mount PMDS
Type de diode Standard
La description DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A
Capacité à Vr, F -

Autres

Autres noms RF081L2STE25TR
Emballage normal 1,500

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