RF101L2SDDTE25

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RF101L2SDDTE25

EXSHINE Modèle de produit:EX-RF101L2SDDTE25
Fabricant Modèle de produit:RF101L2SDDTE25
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RF101L2S
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RF101L2SDDTE25
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 870mV @ 1A
Tension - inverse (Vr) (max) 200V
Package composant fournisseur PMDS
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte DO-214AC, SMA
Autres noms RF101L2SDDTE25DKR
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RF101L2SDDTE25
Description élargie Diode Standard 200V 1A Surface Mount PMDS
Type de diode Standard
La description DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A
Capacité à Vr, F -

Autres

Emballage normal 1
Autres noms RF101L2SDDTE25DKR

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