RFN20NS6STL

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RFN20NS6STL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RFN20NS6STL
Fabricant Modèle de produit:RFN20NS6STL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RFN20NS6S
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RFN20NS6STL
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.55V @ 20A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V
Package composant fournisseur LPDS
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 60ns
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RFN20NS6STL
Description élargie Diode Standard 600V 20A Surface Mount LPDS
Type de diode Standard
La description DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 600V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 20A
Capacité à Vr, F -

Autres

Emballage normal 1,000

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