RFN3BM2SFHTL

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RFN3BM2SFHTL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RFN3BM2SFHTL
Fabricant Modèle de produit:RFN3BM2SFHTL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RFN3BM2SFH
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RFN3BM2SFHTL
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - directe (Vf) (max) @ Si 980mV @ 3A
Tension - inverse (Vr) (max) 200V
Package composant fournisseur TO-252
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries Automotive, AEC-Q101
Temps de recouvrement inverse (trr) 25ns
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms RFN3BM2SFHTLTR
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RFN3BM2SFHTL
Description élargie Diode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252
Type de diode Standard
La description DIODE GEN PURP 200V 3A TO252
Courant - fuite, inverse à Vr 10µA @ 200V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A
Capacité à Vr, F -

Autres

Emballage normal 2,500
Autres noms RFN3BM2SFHTLTR

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