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RFX10TF6S
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-RFX10TF6S |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | RFX10TF6S |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | RFX10TF6S |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
RFX10TF6S
En stock: 34943000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si | 2.5V @ 10A |
|---|---|
| Tension - inverse (Vr) (max) | 600V |
| Package composant fournisseur | TO-220NFM |
| La vitesse | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 30ns |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-2 Full Pack |
| Température d'utilisation - Jonction | 150°C (Max) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | RFX10TF6S |
| Description élargie | Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220NFM |
| Type de diode | Standard |
| La description | DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM |
| Courant - fuite, inverse à Vr | 10µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io) | 10A |
| Capacité à Vr, F | - |
Autres
| Emballage normal | 1,000 |
|---|
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Distributeur de Rohm Semiconductor
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