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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > RJU002N06T106
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RJU002N06T106
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-RJU002N06T106 |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | RJU002N06T106 |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | RJU002N06 Datasheet |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
RJU002N06T106
En stock: 68083000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±12V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | UMT3 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 200mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SC-70, SOT-323 |
| Autres noms | RJU002N06T106TR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | RJU002N06T106 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 18pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| La description | MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |
Autres
| Emballage normal | 3,000 |
|---|---|
| Autres noms | RJU002N06T106TR |
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