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RK7002BT116

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RK7002BT116

EXSHINE Modèle de produit:EX-RK7002BT116
Fabricant Modèle de produit:RK7002BT116
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RK7002B
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RK7002BT116
En stock: 93893000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SST3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms RK7002BT116TR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RK7002BT116
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 60V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA (Ta)

Autres

Autres noms RK7002BT116TR
Emballage normal 3,000

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