RQ6P015SPTR

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RQ6P015SPTR

EXSHINE Modèle de produit:EX-RQ6P015SPTR
Fabricant Modèle de produit:RQ6P015SPTR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RQ6P015SP
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RQ6P015SPTR
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TSMT6 (SC-95)
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 470 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 600mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Autres noms RQ6P015SPTRTR
RQ6P015SPTRTR-ND
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant RQ6P015SPTR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 322nC @ 10V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 100V 1.5A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A (Ta)

Autres

Autres noms RQ6P015SPTRTR

RQ6P015SPTRTR-ND
Emballage normal 3,000

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