RSD050N10TL

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RSD050N10TL

EXSHINE Modèle de produit:EX-RSD050N10TL
Fabricant Modèle de produit:RSD050N10TL
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RSD050N10Packaging Info for TransistorsProduct Catalog TransistorsP/N Explanation for Transistors
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RSD050N10TL
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur CPT3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 15W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Autres noms RSD050N10TL-ND
RSD050N10TLTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 17 Weeks
Référence fabricant RSD050N10TL
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 100V 5A (Ta) 15W (Tc) Surface Mount CPT3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 100V
La description MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5A (Ta)

Autres

Autres noms RSD050N10TL-ND

RSD050N10TLTR
Emballage normal 2,500

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