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RSS065N06FU6TB

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RSS065N06FU6TB

EXSHINE Modèle de produit:EX-RSS065N06FU6TB
Fabricant Modèle de produit:RSS065N06FU6TB
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RSS065N06
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RSS065N06FU6TB
En stock: 41045000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) 20V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SOP
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipation de puissance (max) 2W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms RSS065N06FU6TBTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RSS065N06FU6TB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 5V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 60V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4V, 10V
Tension drain-source (Vdss) 60V
La description MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Ta)

Autres

Emballage normal 2,500
Autres noms RSS065N06FU6TBTR

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