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RTE002P02TL
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-RTE002P02TL |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | RTE002P02TL |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | 1 |
| Datasheet Télécharger: | RTE002P02 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
RTE002P02TL
En stock: 13492000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 13492000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max) | ±12V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | EMT3 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max) | 150mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | SC-75, SOT-416 |
| Autres noms | RTE002P02TLTR |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant | RTE002P02TL |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - |
| Description élargie | P-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3 |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.5V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| La description | MOSFET P-CH 20V 0.2A SOT416 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 200mA (Ta) |
Autres
| Emballage normal | 3,000 |
|---|---|
| Autres noms | RTE002P02TLTR |
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Distributeur de Rohm Semiconductor
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