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RTL030P02TR

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RTL030P02TR

EXSHINE Modèle de produit:EX-RTL030P02TR
Fabricant Modèle de produit:RTL030P02TR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:RTL030P02 ~
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RTL030P02TR
En stock: 72542000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TUMT6
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RTL030P02TR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 20V 3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Ta)

Autres

Emballage normal 3,000

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