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RTM002P02T2L

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RTM002P02T2L

EXSHINE Modèle de produit:EX-RTM002P02T2L
Fabricant Modèle de produit:RTM002P02T2L
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:RTM002P02
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
RTM002P02T2L
En stock: 46393000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Vgs (Max) ±12V
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur VMT3
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipation de puissance (max) 150mW (Ta)
Emballage Original-Reel®
Package / Boîte SOT-723
Autres noms RTM002P02T2LDKR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Référence fabricant RTM002P02T2L
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET P-Channel
Fonction FET -
Description élargie P-Channel 20V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 200mA (Ta)

Autres

Emballage normal 1
Autres noms RTM002P02T2LDKR

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