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SCH2080KEC

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SCH2080KEC

EXSHINE Modèle de produit:EX-SCH2080KEC
Fabricant Modèle de produit:SCH2080KEC
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SCH2080KE
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
SCH2080KEC
En stock: 76150 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4.4mA
Vgs (Max) +22V, -6V
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur TO-247
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 117 mOhm @ 10A, 18V
Dissipation de puissance (max) 262W (Tc)
Emballage Tube
Package / Boîte TO-247-3
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 18 Weeks
Référence fabricant SCH2080KEC
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 800V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 18V
type de FET N-Channel
Fonction FET -
Description élargie N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 18V
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1.2kV)
La description MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 40A (Tc)

Autres

Emballage normal 360

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