SH8KA2GZETB

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SH8KA2GZETB

EXSHINE Modèle de produit:EX-SH8KA2GZETB
Fabricant Modèle de produit:SH8KA2GZETB
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:SH8KA2
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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SH8KA2GZETB
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Package composant fournisseur 8-SOP
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28 mOhm @ 8A, 10V
Puissance - Max 2.8W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms SH8KA2GZETBTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant SH8KA2GZETB
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET -
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOP
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 8A

Autres

Autres noms SH8KA2GZETBTR
Emballage normal 2,500

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