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TT8M3TR
| EXSHINE Modèle de produit: | EX-TT8M3TR |
|---|---|
| Fabricant Modèle de produit: | TT8M3TR |
| Fabricant / Marque: | LAPIS Semiconductor |
| Brève description: | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 |
| État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Condition: | New and unused, Original |
| Datasheet Télécharger: | TT8M3 |
| Application: | - |
| Poids: | - |
| Remplacement alternatif: | - |
Disponibilité en temps réel pour
TT8M3TR
En stock: 96501000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
En stock: 96501000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines
- La description
- Paiement
- livraison
- Emballage
Paramètre du produit
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Package composant fournisseur | 8-TSST |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Puissance - Max | 1W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead |
| Autres noms | TT8M3TRTR TT8M3TRTR-ND |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 10 Weeks |
| Référence fabricant | TT8M3TR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
| type de FET | N and P-Channel |
| Fonction FET | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Description élargie | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 2.4A 1W Surface Mount 8-TSST |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V |
| La description | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A TSST8 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.5A, 2.4A |
Autres
| Autres noms | TT8M3TRTR TT8M3TRTR-ND |
|---|---|
| Emballage normal | 3,000 |
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Distributeur de Rohm Semiconductor
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