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UMB10NTN

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UMB10NTN

EXSHINE Modèle de produit:EX-UMB10NTN
Fabricant Modèle de produit:UMB10NTN
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:EMB10, UMB10N, IMB10A
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
UMB10NTN
En stock: 29429000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur UMT6
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms UMB10NTNTR
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant UMB10NTN
Fréquence - Transition 250MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
La description TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Autres noms UMB10NTNTR
Emballage normal 3,000

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