UMD2NTR

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UMD2NTR

EXSHINE Modèle de produit:EX-UMD2NTR
Fabricant Modèle de produit:UMD2NTR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:EMD2, UMD2N, IMD2A
Application:-
Poids:-
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UMD2NTR
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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur UMT6
Séries -
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 22k
Resistor - Base (R1) (Ohms) 22k
Puissance - Max 150mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant UMD2NTR
Fréquence - Transition 250MHz
Description élargie Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
La description TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 5mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

Autres

Emballage normal 3,000

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