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US6M2TR

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US6M2TR

EXSHINE Modèle de produit:EX-US6M2TR
Fabricant Modèle de produit:US6M2TR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:US6M2
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
US6M2TR
En stock: 61454000 les pièces peuvent être expédiées sous 1 à 2 jours.
Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Package composant fournisseur TUMT6
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Puissance - Max 1W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant US6M2TR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 4.5V
type de FET N and P-Channel
Fonction FET Standard
Description élargie Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 1.5A, 1A 1W Surface Mount TUMT6
Tension drain-source (Vdss) 30V, 20V
La description MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.5A, 1A

Autres

Emballage normal 3,000

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