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UT6K3TCR

EXSHINE Modèle de produit:EX-UT6K3TCR
Fabricant Modèle de produit:UT6K3TCR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:1
Datasheet Télécharger:UT6K3
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
Disponibilité en temps réel pour
UT6K3TCR
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Package composant fournisseur HUML2020L8
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 5A, 4.5V
Puissance - Max 2W
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-UDFN Exposed Pad
Autres noms UT6K3TCRTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 10 Weeks
Référence fabricant UT6K3TCR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V
type de FET 2 N-Channel (Dual)
Fonction FET -
Description élargie Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 2W Surface Mount HUML2020L8
Tension drain-source (Vdss) 30V
La description 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 5.5A

Autres

Emballage normal 3,000
Autres noms UT6K3TCRTR

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