VT6J1T2CR

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VT6J1T2CR

EXSHINE Modèle de produit:EX-VT6J1T2CR
Fabricant Modèle de produit:VT6J1T2CR
Fabricant / Marque:LAPIS Semiconductor
Brève description:MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:VT6J1
Application:-
Poids:-
Remplacement alternatif:-
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VT6J1T2CR
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Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 100µA
Package composant fournisseur VMT6
Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
Puissance - Max 120mW
Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads
Autres noms VT6J1T2CRTR
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 17 Weeks
Référence fabricant VT6J1T2CR
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 15pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -
type de FET 2 P-Channel (Dual)
Fonction FET Logic Level Gate, 1.2V Drive
Description élargie Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
Tension drain-source (Vdss) 20V
La description MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA

Autres

Emballage normal 8,000
Autres noms VT6J1T2CRTR

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