APT100GT120JRDQ4

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APT100GT120JRDQ4

EXSHINE Modèle de produit:EX-APT100GT120JRDQ4
Fabricant Modèle de produit:APT100GT120JRDQ4
Fabricant / Marque:Microsemi
Brève description:IGBT 1200V 123A 570W SOT227
État sans plomb / État RoHS:Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Condition:New and unused, Original
Datasheet Télécharger:APT100GT120JRDQ4Power Products Catalog
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Disponibilité en temps réel pour
APT100GT120JRDQ4
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Stock futur: 12000 pièces en 7 à 10 jours.
Délai d'exécution du fabricant: 8-10 semaines

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Paramètre du produit

Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 100A
Package composant fournisseur ISOTOP®
Séries Thunderbolt IGBT®
Puissance - Max 570W
Package / Boîte ISOTOP
Autres noms APT100GT120JRDQ4MI
APT100GT120JRDQ4MI-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance No
Type de montage Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 22 Weeks
Référence fabricant APT100GT120JRDQ4
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 7.85nF @ 25V
Contribution Standard
type de IGBT NPT
Description élargie IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP®
La description IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 200µA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 123A
Configuration Single

Autres

Autres noms APT100GT120JRDQ4MI

APT100GT120JRDQ4MI-ND
Emballage normal 1

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