EXSHINE Modèle de produit: | EX-APT12M80B |
---|---|
Fabricant Modèle de produit: | APT12M80B |
Fabricant / Marque: | Microsemi |
Brève description: | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 |
État sans plomb / État RoHS: | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Condition: | New and unused, Original |
Datasheet Télécharger: | Power Products CatalogAPT12M80(B,S) |
Application: | - |
Poids: | - |
Remplacement alternatif: | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
---|---|
Vgs (Max) | ±30V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-247 [B] |
Séries | POWER MOS 8™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 6A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 335W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-247-3 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Délai de livraison standard du fabricant | 22 Weeks |
Référence fabricant | APT12M80B |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2470pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Description élargie | N-Channel 800V 13A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B] |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 800V |
La description | MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
Emballage normal | 30 |
---|
|
T / T (virement bancaire) Réception: 1-4 jours. |
|
Pay Pal Réception: immédiatement. |
|
Western union Réception: 1-2 heures. |
|
MoneyGram Réception: 1-2 heures. |
|
Alipay Réception: immédiatement. |
DHL EXPRESS Délai de livraison: 1-3 jours. |
|
FEDEX EXPRESS Délai de livraison: 1-3 jours. |
|
UPS EXPRESS Délai de livraison: 2-4 jours. |
|
TNT EXPRESS Délai de livraison: 3-6 jours. |
|
EMS EXPRESS Délai de livraison: 7-10 jours. |
- Micro / sys propose une large gamme de processeurs, allant d’ordinateurs économiques basés sur le 80C188 aux centrales de Pentium, en passant par les produits périphériques et d’E / S.